22 травня 2018 р. була проведена екскурсія в Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України для студентів груп КІД-11, КІД-12.

Студенти відвідали Центри колективного користування Користування НАН України, а саме:

Комплекс Раманівсько-люмінесцентної субмікронної спектроскопії

(Потрійний спектрометр Horiba Jobin-Yvon T64000 (Франція). Конфокальний мікроскоп UV-Visible-NIR Olympus BX41 (Японія). Макрокамера з можливістю реалізації геометрій на відбивання та 90º.CCD детектори для реєстрації випромінювання: Si (Andor), InGaAs (Horiba Jobin Yvon). Лазери: Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics 2.5W (США), HeCd лазер, Garnet LCM-DTL-374QT. Оптичний мікрокріостат RC102-CFM (CIA CRYO Industries, США). Мікро-термоелектрична комірка Linkam Scientific Instruments THMS600 (Англія))

Високороздiльний рентгенiвський дифрактометр X'Pert PRO MRD

(Застосовується для аналізу високороздільних кривих гойдання, знімання карт оберненого простору, Х-променеву топографію епітаксійних шарів на монокристалічних підкладинках, рефлектометрії тонких шарів і матеріалів підкладинки, картографування зразка.дифракція в площині від тонких плівок, Х-променевий аналіз серій зразків.фазовий аналіз зразків з плоскими та шорохуватими поверхнями, а також тонких плівок, аналізу залишкових напруг в плоских зразках та в зразках довільної форми, текстурного аналізу всіх видів матеріалів з переважаючою орієнтацією кристалітів, аналізу малих плям на неоднорідних зразках)

Мас-спектрометр вторинних іонів (ВІМС) та нейтральних часток (МСВН) іонізованих електронним газом INA-3 (Leybold-Heraeus, Німеччина)

(Використовується для елементного аналізу від H до U, кількісного аналізу, профілювання елементів по глибині, визначення товщини шарів, рельєфу та шорсткості поверхні, аналіз провідних та діелектричних плоских зразків розмірами біля 3 × 3 mm2)