Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій
XS
SM
MD
LG
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій

Адреса:
03110, Україна
м. Київ, вул. Солом'янська, 7
Контактна інформація:
Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій
Укр.
   

Новий квантовий діод має товщину у декілька атомів

16:57, 23-06-2015

Квантовомеханічний транспортний еффект або так зване відємний диференціальний опір (negative differential resistance, NDR), вперше продемонстровано дослідниками чотирьох американських та міжнародних університетів в синтетичному шаруватому матеріалі атомарної товщини при кімнатній температурі. NDR може використовуватися для створення низьковольтних електросхем, які працюють на високих частотах..

У експерименті, описаному в онлайн-журналі Nature Communications від 19 июня, NDR спостерігався при прикладанні напруги до  материалу Ван-дер-Ваальса, що складається з шарів  дісульфіду молибдена та діселениду молибдена або вольфрама на графеновій підложці.


Отримання NDR у резонансному туннельномі діоді при кімнатній температурі потребувало майже ідеальних інтерфейсів, які автори створили за допомогою методу прямого вирощування, а саме випаровування оксиду молибдена у присутності парів сірки для утворення шару MoS2, и осадження з метал-органічної парової фази — для WSe2 та MoSe2. Вирощування 2D-материалів замість їх відшарування відкриває великі перспективи для розробки масштабних методів виробництва, сумісних з сучасними промисловими технологіями.  

 Участники досліджень планують продовжити оптимізацію властивостей вертикальних гетероструктур для майбутнього промислового застосування, а також планують створити  на цій основі інші базові елементи , у тому числі й транзистори.  

© При повному чи частковому використанні матеріалів сайту ДУІКТ гіперпосилання на сайт https://duikt.edu.ua/ обов'язкове!

Абітурієнту

Спеціалізація: Радіоелектронні пристрої, системи та комплекси

Проектування, побудова та технічна експлуатація сучасних радіоелектронних пристроїв та систем. Знання сучасної елементної бази яка застосовується при розробці радіоелектронних, телекомунікаційних, електронно-обчислювальних засобів. Створення програмного забезпечення для проектування радіоелектронних пристроїв та систем, систем автоматизованого проектування радіоелектронної апаратури (САПР).

Схемотехнічне проектування вузлів та пристроїв, призначених для генерування, формування, приймання та підсилення радіосигналів. Сучасні знання в області цифрової обробки сигналів та в цифрових методах реалізації радіотехнічних систем.

Спеціалізація: Радіоелектронні пристрої, системи та комплекси

Проектування, побудова та технічна експлуатація сучасних радіоелектронних пристроїв та систем. Знання сучасної елементної бази яка застосовується при розробці радіоелектронних, телекомунікаційних, електронно-обчислювальних засобів. Створення програмного забезпечення для проектування радіоелектронних пристроїв та систем, систем автоматизованого проектування радіоелектронної апаратури (САПР).

Схемотехнічне проектування вузлів та пристроїв, призначених для генерування, формування, приймання та підсилення радіосигналів. Сучасні знання в області цифрової обробки сигналів та в цифрових методах реалізації радіотехнічних систем.

Переглядів: 4 267
Вступ до магістратури
лише за ЄВІ
та вступним випробуванням


за спеціальністю 172 Електронні комунікації та радіотехніка