На семінарі був заслуханий звіт про наукову роботу кафедри, яка полягає у виконанні ініціативної науково-дослідної роботи «Модифікація при поверхневих шарів GaN гетероепітаксійних приладових структур надвисокочастотним електромагнітним випромінюванням».

Доповідач к.ф.-м.н., доцент., ст.н.с. Редько Роман Анатолійович.

Була представлена тришарова модель для GaN/Al2O3 структури, яка окрім напівпровідникового і діелектричного шарів включає тонкий шар оксидної плівки. Аналіз експериментальних даних щодо впливу зовнішніх активних чинників на спекти оптичного пропускання і параметри шорсткості досліджуваних структур показав, що використовуючи альтернативні методи (надвисокочастотне випромінювання, слабкі магнітні поля) модифікації дефектної підсистеми напівпровідникових сполук можна ефективно варіювати їхні оптичні параметри, тим самим покращувати їхню структурну досконалість та домішково-дефектний стан.

В обговоренні представленого звіту прийняли участь викладачі кафедри, які затвердили звіт проміжного етапу ІНДР кафедри і прийняли рішення продовжити науково-дослідну роботу за даною тематикою.