GMR-ефект досліджено для релятивістських електронів

У Інституті хімічної фізики твердих тіл ім. Макса Планка було здійснене відкриття, що у майбутньому зможе значно спростити конструювання електронних компонентів. Вчені встановили, що електричний опір з’єднань ніобію з фосфором під дією зовнішнього магнітного поля здійснює стрибок у 10 тисяч разів (дані було опубліковано в журналі Nature Physics.

Раніше такий величезний магніторезистивний ефект (GMR) спостерігався тільки у матеріалах зі складною багатошаровою структурою. GMR забезпечує сучасним жорстким дискам їх величезну ємність. Фосфід ниобию (NbP) має схожі властивості, але його виробництво менш затратне.

Резка зміна опору NbP в магнітному полі була зумовлена силою Лоренца. Вона призводить до того, що зі зростанням інтенсивності магнітного поля все більша кількість електронів починає рухатися у «неправильному» напрямі, збільшуючи тим самим електричний опір.  

Автори цього відкриття вважають, що цей ефект можна удосконалити за допомогою оптимізації складу та структури матеріалу та впевнені, що воно несе у собі великий потенціал для майбутнього інформаційних технологій.