Усі учасники основної сесії ЄВІ для вступу до магістратури вже отримали свої результати за шкалою 100–200 балів у кабінетах учасників вступних випробувань.
Орієнтовну кількість набраних балів вони бачили на платформі одразу після завершення виконання завдань екзаменаційної роботи, офіційну ж інформацію про результати розміщено в кабінетах учасників вступних випробувань.
Для формування результатів тестові бали було переведено у шкалу 100–200 балів відповідно до таблиць № 10 та № 11 додатка 5 Порядку прийому на навчання для здобуття вищої освіти в 2026 році.
Також у кабінетах вступників до магістратури розміщено картки результатів. У них відображено всі надані відповіді, правильні ключі до завдань та кількість набраних балів. Тому кожен учасник має змогу переконатися в правильності нарахування балів.
Важливо пам’ятати, що ЄВІ вважають успішно складеним лише в тому разі, якщо вступник набрав необхідну кількість тестових балів як з іноземної мови, так і за виконання завдань тесту загальної навчальної компетентності.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Ваш запит успішно надіслано