У понеділок, 18 серпня розпочалася додаткова сесія вступних випробувань до аспірантури, що триватиме до 28 серпня.
Запрошення на тестування вступники отримали в кабінетах учасників вступних випробувань. Тож вони вже знають дату, час і місце проходження ЄВІ / ЄВВ, відтак мають змогу заздалегідь спланувати маршрут доїзду й подбати про те, щоб вчасно дістатися до пункту тестування.
Допуск до пункту тестування розпочнуть за 30 хв і припинять за 5 хв до початку вступних випробувань.
У пункті тестування вступник / вступниця має пред’явити екзаменаційний листок та оригінал документа, на підставі якого його / її зареєстровано для участі у вступних випробуваннях.
Увага! Якщо учасник / учасниця вступних випробувань запізниться або не пред’явить екзаменаційного листка й документа, що посвідчує особу, біля входу до пункту тестування – його / її не допустять до участі в ЄВІ / ЄВВ.
Інформацію про результати додаткової сесії за шкалою 100–200 балів буде розміщено в кабінетах учасників вступних випробувань до 3 вересня.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Ваш запит успішно надіслано