Цьогоріч вступники до магістратури та аспірантури матимуть можливість за бажанням пройти єдиний вступний іспит (ЄВІ) під час третьої (спеціально організованої) сесії, йдеться у наказі, затвердженому Міністерством освіти і науки України.
Цю сесію буде організовано для вступників, які не реєструвалися для участі в основній чи додатковій сесії ЄВІ або зареєструвалися, але не взяли в ній участі. Також повторно можуть скласти цей іспит ті, хто бажає покращити свої результати й скористатися шансом на вступ до магістратури / аспірантури у 2024 році, пояснюють в МОН.
Третю сесію ЄВІ проводять за рахунок коштів фізичних та/або юридичних осіб. Вартість цієї послуги буде оголошено до 8 серпня.
Відповідно до Календарного плану організації та проведення у 2024 році спеціальної сесії ЄВІ з 12 до 19 серпня триватиме реєстрація охочих узяти участь у вступному випробуванні. Як і під час основного чи додаткового періоду реєстрації, вступники мають звернутися до приймальної комісії закладу вищої освіти. Докладніше про процедуру реєстрації ーза посиланням.
Спеціально організовану сесію ЄВІ буде проведено протягом 12-14 вересня. Результати за шкалою 100-200 балів буде розміщено в електронних кабінетах учасників до 24 вересня включно.
Важливо: проведення спеціально організованої сесії єдиного фахового вступного випробування (ЄФВВ) не передбачено.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Вступ 2024
Telegram-бот
Ваш запит успішно надіслано